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光颉科技股份有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | TWI325139 | 电流感应晶片电阻器之制造方法 | 2010.05.21 | 本发明系提供一种电流感应晶片电阻器之制造方法，其电阻器制造流程系藉由前制程及后制程所构成，其该前制程 |
| 2 | TW460882 | 一种制造RC复合式被动元件之方法 | 2001.10.21 | 本发明提出一种在陶瓷或玻璃基板上制造薄膜复合式被动元件且以厚膜封装技术加以包装的方法。此方法的优点是 |
| 3 | CN103517571B | 金属电镀沉积方法 | 2016.06.08 | 本发明公开了一种金属电镀沉积方法，首先提供具有导通孔的绝缘基板，于该绝缘基板的第一表面上形成第一导电 |
| 4 | TW563898 | 用以形成电感器之绝缘层的遮罩 | 2003.11.21 | 一种用以形成电感器之绝缘层的遮罩，系适用于形成该电感器之其中一个绝缘层。此遮罩之特征系在于包含：一图 |
| 5 | TW410462 | 具有MIS突波保护器之RC半导体积体电路 | 2000.11.01 | 一种具有MIS(Metal Insulator Semiconductor)突波系护器的RC积体化半 |
| 6 | CN103429011B | 一种基板的导通工艺方法 | 2016.06.01 | 本发明公开了一种基板的导通工艺方法，该方法首先提供具有第一及第二表面的绝缘基板，并于该绝缘基板的第二 |
| 7 | CN103052280B | 具有导电通孔的基板的制法 | 2016.04.13 | 一种具有导电通孔的基板的制法，首先，于一基板本体的相对两表面上形成离型膜，并形成贯穿该离型膜与该基板 |
| 8 | TW201611681 | 具高弯折力之微电阻结构、其制造方法及其半成品 | 2016.03.16 | 具高弯折力之微电阻结构，包含一复合式金属基板结构、一图案化电极层设置于复合式金属基板结构之下表面；一 |
| 9 | CN105390221A | 微电阻结构、其制造方法及其半成品 | 2016.03.09 | 本发明提供一种微电阻结构、其制造方法及其半成品，所述微电阻结构包含一复合式金属基板结构、一图案化电极 |
| 10 | CN105304576A | 陶瓷基板、封装基板、半导体芯片封装件及其制造方法 | 2016.02.03 | 本发明提供一种陶瓷基板、封装基板、半导体芯片封装件及其制造方法，该陶瓷基板的制造方法是利用预开孔的沟 |
| 11 | TW201605000 | 陶瓷基板、封装基板、半导体晶片封装件及其制造方法 | 2016.02.01 | 陶瓷基板之制造方法，其是利用预开孔之沟槽、图案化保护层以及喷砂制程，而可针对不同陶瓷基板孔径尺寸或形 |
| 12 | CN102646785B | 封装基板及其制造方法 | 2015.12.16 | 本发明提供一种封装基板及其制造方法，封装基板包括导部与绝缘部的基板本体、以及形成于该基板本体的两表面 |
| 13 | CN105024003A | 电子封装结构及其陶瓷基板 | 2015.11.04 | 本发明公开一种电子封装结构及其陶瓷基板，该陶瓷基板包括：一具有相对的第一表面与第二表面的板体、设于该 |
| 14 | CN105006459A | 承载件及具有该承载件的封装结构 | 2015.10.28 | 一种承载件及具有该承载件的封装结构，该承载件包括：具有相对的第一表面及第二表面的本体；形成于该本体的 |
| 15 | TWI502709 | 金属化陶瓷板体之制法 | 2015.10.01 | |
| 16 | CN102956507B | 金属化陶瓷板体的制法 | 2015.05.27 | 一种金属化陶瓷板体的制法，首先，于陶瓷板体上形成金属层，并于该金属层上形成阻层，且该阻层具有外露该金 |
| 17 | TWI473121 | 合金电阻器之制法 | 2015.02.11 | |
| 18 | CN103871904A | 基板的制法 | 2014.06.18 | 一种基板的制法，先提供具有第一表面及第二表面的金属板。接着，再利用激光切割技术于该第一表面形成多个凹 |
| 19 | CN103517571A | 金属电镀沉积方法 | 2014.01.15 | 本发明公开了一种金属电镀沉积方法，首先提供具有导通孔的绝缘基板，于该绝缘基板的第一表面上形成第一导电 |
| 20 | CN103429011A | 一种基板的导通工艺方法 | 2013.12.04 | 本发明公开了一种基板的导通工艺方法，该方法首先提供具有第一及第二表面的绝缘基板，并于该绝缘基板的第二 |
| 21 | CN203085298U | 电阻组件 | 2013.07.24 | 一种电阻组件，其包括：表面涂装有皮膜的陶瓷棒，于该陶瓷棒的中段部表面的皮膜上形成一电镀保护层，且于该 |
| 22 | CN103058699A | 陶瓷基板上进行选择性金属化的方法 | 2013.04.24 | 一种陶瓷基板上进行选择性金属化的方法，首先将活性焊料选择性地形成于陶瓷基板的表面的预定区域上，并将金 |
| 23 | CN103052280A | 具有导电通孔的基板的制法 | 2013.04.17 | 一种具有导电通孔的基板的制法，首先，于一基板本体的相对两表面上形成离型膜，并形成贯穿该离型膜与该基板 |
| 24 | CN103035815A | 发光二极管的封装结构及其制造方法 | 2013.04.10 | 一种发光二极管的封装结构及其制造方法，首先提供一金属化陶瓷散热基板及一反射杯层，而该金属化陶瓷散热基 |
| 25 | CN102339665B | 合金电阻器的制法 | 2013.03.13 | 本发明公开了一种合金电阻器的制法，包括：准备一合金片材，该合金片材包括多个彼此间隔且贯穿该合金片材的 |
| 26 | CN102956507A | 金属化陶瓷板体的制法 | 2013.03.06 | 一种金属化陶瓷板体的制法，首先，于陶瓷板体上形成金属层，并于该金属层上形成阻层，且该阻层具有外露该金 |
| 27 | CN102646785A | 封装基板及其制造方法 | 2012.08.22 | 本发明提供一种封装基板及其制造方法，封装基板包括导部与绝缘部的基板本体、以及形成于该基板本体的两表面 |
| 28 | CN102339665A | 合金电阻器的制法 | 2012.02.01 | 本发明公开了一种合金电阻器的制法，包括：准备一合金片材，该合金片材包括多个彼此间隔且贯穿该合金片材的 |
| 29 | CN201758141U | 发光二极管封装结构及用于该封装结构的基板 | 2011.03.09 | 一种发光二极管封装结构及用于该封装结构的基板，该发光二极管封装结构包括：金属基板，具有相对的第一及第 |
| 30 | CN101976716A | 基板通孔的导电方法 | 2011.02.16 | 本发明为有关于一种基板通孔的导电方法，属于电气类，其主要包括：于基板二侧面分配设有一脱离性薄膜；于该 |
| 31 | 发光二极体封装结构及用于该封装结构之基板 | 2011.01.01 | ||
| 32 | CN100524547C | 电流感应晶片电阻器的制造方法 | 2009.08.05 | 本发明涉及一种电流感应晶片电阻器的制造方法，属于机电类。它包含有前制程及后制程两步骤，其中，前制程步 |
| 33 | TW200828349 | 电流感应晶片电阻器之制造方法 | 2008.07.01 | 本发明系提供一种电流感应晶片电阻器之制造方法,其电阻器制造流程系藉由前制程及后制程所构成,其该前制程 |
| 34 | CN101034606A | 电流感应晶片电阻器的制造方法 | 2007.09.12 | 本发明涉及一种电流感应晶片电阻器的制造方法，属于机电类。它包含有前制程及后制程两步骤，其中，前制程步 |
| 35 | CN2800486Y | 高功率LED散热模块结构改良 | 2006.07.26 | 本实用新型涉及一种高功率LED散热模块结构改良，属于机电类。其是由LED发光二极体、合金基板、陶瓷基 |
| 36 | TWM278067 | 高功率LED散热模组结构改良 | 2005.10.11 | 本创作系提供一种高功率LED(Light Em itting Diode发光二极体)散热模组结构改良 |
| 37 | TWI220282 | 提高发光二极体亮度之封装方法 | 2004.08.11 | 本发明提供一种提高发光二极体亮度之封装方法，该方法包含如下步骤：对一载体之表面进行平坦化(Plana |
| 38 | CN1463047A | 提高发光二极管亮度的封装方法 | 2003.12.24 | 本发明提供一种提高发光二极管亮度的封装方法，该方法包含如下步骤：提供一具有凹槽的载体，再对载体的凹槽 |
| 39 | CN1377050A | 制造复合式无源元件的方法 | 2002.10.30 | 本发明提出一种在陶瓷或玻璃基板上制造薄膜复合式无源元件且以厚膜封装技术加以包装的方法。包含如下步骤: |
| 40 | CN1367530A | 制作在硅晶片上的薄膜无源元件的包装方法 | 2002.09.04 | 本发明提出一种在硅晶片上制作薄膜无源元件,且利用一陶瓷或玻璃基底与其相接合,以提高此元件的抗应力性, |
| 41 | CN1330406A | 具有MIS过压保护器的RC集成化半导体电路及其制造方法 | 2002.01.09 | 一种具有MIS(Metal Insulator Semiconductor)过压保护器的RC集成化半 |
| 42 | CN1323044A | 薄膜电阻器的制造方法 | 2001.11.21 | 一种薄膜电阻器的制造方法,包括以下各步骤:提供一绝缘基板;以非光刻法在绝缘基板上形成一导体图案层;在 |
| 43 | TW428306 | 制作在矽晶片上之薄膜被动元件的包装方法 | 2001.04.01 | 本发明提出一种在矽晶片上制作薄膜被动元件，且利用一陶瓷或玻璃基底与其相接合，以提高此元件之机械特性， |
| 44 | CN1266286A | 具有MIS脉冲保护器的RC半导体集成化电路 | 2000.09.13 | 一种具有MIS(Metal Insulator Semiconductor)脉冲保护器的RC半导 |
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